[发明专利]肖特基势垒整流器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711293800.7 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108133884B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 马文力;金银萍;杨勇;姚伟明 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒层 反向漏电流 抑制层 阻挡层 表面沉积 功函数 肖特基势垒整流器 半导体层 第一电极 制备 功函数调整 肖特基势垒 表面形成 传统工艺 第二电极 溅射靶材 连续调节 生产难度 背面 兼容 | ||
1.一种肖特基势垒整流器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在半导体层的表面通过溅射Ti层形成肖特基势垒层；
在所述肖特基势垒层的表面采用直接溅射工艺沉积形成阻挡层；
在所述阻挡层的表面采用溅射镀膜工艺形成反向漏电流抑制层；
在所述反向漏电流抑制层的表面形成第一电极层，第一电极层从下至上依次为Ti/Ni/Ag；
在所述半导体层的背面形成第二电极层；
其中，所述反向漏电流抑制层的功函数高于所述肖特基势垒层的功函数；
其中，所述肖特基势垒层采用溅射工艺并经过快速退火沉积形成；且在形成所述肖特基势垒层时，退火温度为600℃～900℃；
所述肖特基势垒层的成分是TiSi2；所述反向漏电流抑制层的成分是Al；所述阻挡层的成分是TiN；所述肖特基势垒层的厚度与所述阻挡层的厚度之和的取值范围为
所述肖特基势垒层的厚度取值范围为
所述反向漏电流抑制层的厚度取值范围为
2.一种肖特基势垒整流器，其特征在于，采用权利要求1所述的肖特基势垒整流器制备方法制备形成，包括半导体层、第一电极层、肖特基势垒层、阻挡层、反向漏电流抑制层和第二电极层；
其中，所述肖特基势垒层、所述阻挡层和所述反向漏电流抑制层形成于所述第一电极层与所述第二电极层之间；
所述肖特基势垒层形成于所述半导体层的表面；
所述阻挡层形成于所述肖特基势垒层的表面；
所述反向漏电流抑制层形成于所述阻挡层的表面；
所述第一电极层形成于所述反向漏电流抑制层的表面；
所述第二电极层形成于所述半导体层的背面；
所述反向漏电流抑制层的功函数高于所述肖特基势垒层的功函数；所述反向漏电流抑制层的功函数高于所述阻挡层的功函数；
所述肖特基势垒层的功函数与所述阻挡层的功函数相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
