[发明专利]一种具有掩埋悬浮结和周边深沟槽保护结构的碳化硅SBD器件在审
| 申请号： | 201711293398.2 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108010958A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;倪炜江;窦娟娟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有掩埋悬浮结和周边深沟槽保护结构的碳化硅SBD器件，该器件的外延层中肖特基结构区下方分布着一层或多层掩埋构造的多个悬浮P+区构成的均匀离散结构，碳化硅SBD器件的周边JTE或者场限环到划片道之间设置有若干个深沟槽保护结构；深沟槽保护结构垂直穿透均匀离散结构；深沟槽保护结构的深沟槽中填充高介电常数介质、多晶硅或金属。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中结合掩埋悬浮结构和与其相连的周边深沟槽保护结构，能进一步增强SBD悬浮结器件的耐压能力和抗干扰能力，减少边缘漏电。该申请的器件结构的周边深沟槽还可以作为seal ring保护芯片内部有源区，使划片的损伤裂纹等终止在沟槽区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掩埋 悬浮 周边 深沟 保护 结构 碳化硅 sbd 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有掩埋悬浮结和周边深沟槽保护结构的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述碳化硅SBD器件的外延层中肖特基结构区下方分布着一层或多层掩埋构造的多个悬浮P+区构成的均匀离散结构，碳化硅SBD器件的周边JTE或者场限环到划片道之间设置有若干个深沟槽保护结构；所述深沟槽保护结构垂直穿透所述均匀离散结构；深沟槽保护结构的深沟槽中填充高介电常数介质、多晶硅或金属。
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