[发明专利]一种具有掩埋悬浮结和周边深沟槽保护结构的碳化硅SBD器件在审
| 申请号： | 201711293398.2 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108010958A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;倪炜江;窦娟娟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掩埋 悬浮 周边 深沟 保护 结构 碳化硅 sbd 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有掩埋悬浮结和周边深沟槽保护结构的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述碳化硅SBD器件的外延层中肖特基结构区下方分布着一层或多层掩埋构造的多个悬浮P+区构成的均匀离散结构，碳化硅SBD器件的周边JTE或者场限环到划片道之间设置有若干个深沟槽保护结构；所述深沟槽保护结构垂直穿透所述均匀离散结构；深沟槽保护结构的深沟槽中填充高介电常数介质、多晶硅或金属。
2.根据权利要求1所述的具有掩埋悬浮结和周边深沟槽保护结构的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述均匀离散结构的顶层与所述肖特基结构区的P+注入区的垂直距离为0.5-10um。
3.根据权利要求1所述的具有掩埋悬浮结和周边深沟槽保护结构的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述均匀离散结构为P+方块状阵列结构、P+圆柱状阵列结构、P+六边形阵列结构、P+环块状阵列结构、P+三角形框状结构或P+四角形框状结构。
4.根据权利要求1所述的具有掩埋悬浮结和周边深沟槽保护结构的碳化硅SBD器件，其特征在于，所述悬浮P+区是碳化硅N型外延片P+注入后二次外延N-epi形成，或者是碳化硅N型外延片直接高能量注入形成的掩埋P+结。
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