[发明专利]肖特基二极管及其形成方法、半导体器件在审
| 申请号： | 201711287896.6 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107910380A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 沈宗晶 |
| 地址： | 315899 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基二极管及其形成方法、半导体器件。通过形成掺杂浓度呈梯度分布的半导体层，以弱化半导体层在平衡状态下其内部的自建电场的电场强度，从而可有效降低肖特基二极管的正向导通压降。并且，通过在半导体层中形成沟槽，以使肖特基接触层从半导体层的表面上进一步延伸至半导体层的内部中，从而在反向偏压下，使所形成的耗尽区从半导体层的界面区域扩展到半导体层的内部，拓宽了承受电压的区域，进而有利于减小反向漏电流并增大反向击穿电压。可见，本发明中的肖特基二极管，能够同时优化其反向漏电流、反向击穿电压和正向导通压降，从而可提高肖特基二极管的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体层，所述半导体层具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，在所述半导体层中掺杂离子的掺杂浓度从所述第一表面至所述第二表面呈梯度分布并且掺杂浓度依次递增，以及在所述半导体层中还形成有多个沟槽，所述沟槽从所述半导体层的所述第二表面延伸至所述半导体层中；欧姆接触层，形成在所述半导体层的所述第一表面上；以及，肖特基接触层，形成在所述半导体层的所述第二表面上并填充所述沟槽。
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