[发明专利]一种能降低超结器件导通电阻的外延结构及制作方法在审
| 申请号： | 201711274973.4 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107833911A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张艳旺;吴宗宪;白福瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种能降低超结器件导通电阻的外延结构及制作方法，在外延结构的剖视平面上，从所述第一导电类型外延层指向第一导电类型重掺杂衬底的深度方向上若干个第一导电类型注入区相连构成第一导电类型柱，若干个第二导电类型注入区相连构成第二导电类型柱，第一导电类型柱和第二导电类型柱交替平行分布，共同构成了超结结构；第一导电类型注入区的宽度为X，第二导电类型注入区的宽度为Y，器件单元体的宽度为L，且2Y+X<L；本发明通过改变掩膜板的宽度，进而使N型注入区和P型注入区相距一定宽度，能有效解决小尺寸超结器件N型柱和P型柱之间扩散复合问题，提升N型外延层的杂质注入浓度，进而提升器件导通电阻RSP。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 器件 通电 外延 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种能降低超结器件导通电阻的外延结构，在外延结构的俯视平面上，包含元胞区，所述元胞区包括若干个器件单元体制作区；在外延结构的剖视平面上，所述器件单元体包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于所述第一导电类型重掺杂衬底（1）上的第一导电类型外延层（3），其特征在于，从所述第一导电类型外延层（3）指向第一导电类型重掺杂衬底（1）的深度方向上设有若干个第一导电类型注入区（31）和若干个第二导电类型注入区（32），所述若干个第一导电类型注入区（31）相连构成第一导电类型柱（4），所述若干个第二导电类型注入区（32）相连构成第二导电类型柱（5），所述第一导电类型柱（4）和第二导电类型柱（5）交替平行分布，共同构成了超结结构；在单个器件单元体制作区内，所述第一导电类型注入区（31）的宽度为X，所述第二导电类型注入区（32）的宽度为Y，所述器件单元体的宽度为L，且2Y+X< L。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡橙芯微电子科技有限公司，未经无锡橙芯微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711274973.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
