[发明专利]沟槽栅极IGBT有效
| 申请号： | 201711263226.0 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108231865B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 神田良;松浦仁;菊地修一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及沟槽栅极IGBT。提供了一种高性能的沟槽栅极IGBT。根据一个实施例的沟槽栅极IGBT包括：半导体衬底(11)；设置在半导体衬底(11)上的沟道层(15)；设置在沟道层(15)两侧的两个浮置P型层(12)，浮置P型层(12)比沟道层(15)深；设置在两个浮置P型层(12)之间的两个发射极沟槽(13)，发射极沟槽(13)分别与浮置P型层(12)接触；设置在两个发射极沟槽(13)之间的至少两个栅极沟槽(14)；和设置在两个栅极沟槽14之间的源极扩散层(19)，源极扩散层(19)与栅极沟槽(14)中的每一个接触。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 igbt | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅极绝缘栅双极晶体管IGBT，包括：衬底；设置在所述衬底上的第一导电类型的沟道层；设置在所述沟道层两侧的两个第一导电类型的浮置层，所述第一导电类型的浮置层比所述沟道层深；设置在两个浮置层之间的两个发射极沟槽，所述发射极沟槽分别与浮置层接触；设置在所述两个发射极沟槽之间的至少两个栅极沟槽；以及设置在所述两个栅极沟槽之间的源极扩散层，所述源极扩散层与所述栅极沟槽中的每一个接触。
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