[发明专利]沟槽栅极IGBT有效
| 申请号： | 201711263226.0 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108231865B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 神田良;松浦仁;菊地修一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 igbt | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽栅极绝缘栅双极晶体管，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的第一导电类型的沟道层；
设置在所述沟道层两侧的两个第一导电类型的浮置层，所述第一导电类型的浮置层比所述沟道层深；
设置在两个浮置层之间的第一发射极沟槽和第二发射极沟槽，所述第一发射极沟槽和第二发射极沟槽分别与浮置层接触；
设置在所述第一发射极沟槽和第二发射极沟槽之间的第一栅极沟槽和第二栅极沟槽，所述第一栅极沟槽设置在所述第一发射极沟槽附近，并且所述第二栅极沟槽设置在所述第二发射极沟槽附近；
设置在所述第一栅极沟槽和第二栅极沟槽之间的第一源极扩散层和第二源极扩散层，所述第一源极扩散层与所述第一栅极沟槽接触，并且所述第二源极扩散层与所述第二栅极沟槽接触；
第一接触件，耦合到所述第一栅极沟槽和第二栅极沟槽之间的所述第一导电类型的沟道层；
第二接触件，耦合到所述第一发射极沟槽和所述第一栅极沟槽之间的所述第一导电类型的沟道层；以及
第三接触件，耦合到所述第二发射极沟槽和所述第二栅极沟槽之间的所述第一导电类型的沟槽层，
其中，所述源极扩散层不设置在所述第一发射极沟槽与所述第一栅极沟槽之间以及所述第二发射极沟槽与所述第二栅极沟槽之间。
2.根据权利要求1所述的沟槽栅极绝缘栅双极晶体管，其中所述两个第一导电类型的浮置层形成为比所述第一发射极沟槽和第二发射极沟槽深。
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