[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

摘要

本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括步骤：1）提供一半导体衬底，半导体衬底包括器件单元区域和位于器件单元区域外围的外围单元区域；2）于器件单元区域的上表面形成阻挡层；3）在阻挡层的保护作用下将步骤2）得到的结构进行半导体氧化处理，以于外围单元区域的上表面形成栅氧化层。本发明在对外围单元区域的上表面进行栅极氧化前，通过先在器件单元区域的上表面形成阻挡层而避免器件单元区域的有源区在栅极氧化过程中被氧化而保证器件单元区域的有源区面积不会减小从而为后续的工艺生产提供更大的工艺容限空间，并能极大减少器件断路等不良，从而提升器件性能，最终帮助提高生产良率，降低生产成本。

主权项

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括器件单元区域、位于所述器件单元区域外围的外围单元区域，以及位于所述器件单元区域与所述外围单元区域之间的过渡结构，所述器件单元区域内形成有第一浅沟槽隔离结构，以在所述器件单元区域内隔离出若干个第一有源区；所述外围单元区域内形成有第二浅沟槽隔离结构，以在所述外围单元区域内隔离出若干个第二有源区；2)于所述器件单元区域的上表面形成阻挡层，包括步骤：2‑1)于所述器件单元区域、所述外围单元区域和所述过渡结构的上表面形成所述阻挡层；2‑2)于所述阻挡层上涂布抗蚀剂；2‑3)去除所述外围单元区域和所述过渡结构上表面的所述抗蚀剂和所述阻挡层；3)在所述阻挡层的保护作用下将步骤2)得到的结构进行半导体氧化处理，以于所述外围单元区域和所述过渡结构的上表面形成栅氧化层。