[发明专利]硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件有效
| 申请号： | 201711240511.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108011000B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张小宁;林媛媛;王耀功;刘凌光 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王霞 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基 mos 薄膜 发光 器件 及其 制备 方法 光谱 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基MOS薄膜发光器件，其特征在于，包括硅基及设置在硅基表面的凸起结构；所述凸起结构为不规则山丘型、嵌套金字塔型、米字金字塔型、四方体金字塔型和四棱锥金字塔型中的一种或几种；凸起结构在硅基表面的分布密度、底部尺寸及高度可调；
该硅基MOS薄膜发光器件基于MOS结构击穿形成的导电通道数目增多而提高光效。
2.根据权利要求1所述的硅基MOS薄膜发光器件，其特征在于，所述硅基采用晶向100的p型硅片。
3.根据权利要求1所述的硅基MOS薄膜发光器件，其特征在于，硅基表面的凸起结构的密度为102个/mm2～1014个/mm2。
4.根据权利要求1所述的硅基MOS薄膜发光器件，其特征在于，硅基表面的凸起结构的底部尺寸为1nm～200μm。
5.根据权利要求1所述的硅基MOS薄膜发光器件，其特征在于，硅基表面的凸起结构的高度为1nm～10μm。
6.含有权利要求1～5中任意一项所述的硅基MOS薄膜发光器件的全光谱薄膜发光器件。
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