[发明专利]包括双向开关的半导体器件有效
申请号: | 201711227715.0 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108122898B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | R.奥特伦巴;K.席斯;M.特罗伊 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/495 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王健;陈岚 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及包括双向开关的半导体器件。形成双向开关的半导体器件可以包括载体、布置在载体上的第一半导体元件和第二半导体元件、沿载体的第一侧面布置的第一行端子和沿与第一侧面相对的载体的第二侧面布置的第二行端子,以及包装第一和第二半导体元件的包装体,其中每一行端子包括双向开关的栅极端子、感测端子和至少一个功率端子。 | ||
搜索关键词: | 包括 双向 开关 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种形成双向开关(100')的半导体器件(300;300'),所述半导体器件包括:载体(340;340');布置在载体(340;340')上的第一半导体芯片(350;350')和第二半导体芯片(360;360');沿载体(340;340')的第一侧面布置的第一行端子(320)和沿与第一侧面相对的载体的第二侧面布置的第二行端子(330);以及包装第一和第二半导体芯片(350,360;350',360')的包装体(310;310');其中第一半导体芯片(350)包括包含第一源极(350_1)、漏极(350_3)和栅极(350_2)电极的第一晶体管结构,并且第二半导体芯片(360)包括包含第二源极(360_1)、漏极(360_3)和栅极(360_2)电极的第二晶体管结构,并且其中第一和第二晶体管结构通过其相应的第一和第二漏极电极(350_3,360_3)经由载体(340;340')与彼此耦合;并且其中第一行端子(320)包括与第一栅极电极(350_2)耦合的第一栅极端子(320_3)、与第一源极电极(350_1)耦合的第一感测端子(320_2),以及与第一源极电极(350_1)耦合的双向开关(100')的第一功率端子(320_1);并且其中第二行端子(330)包括与第二栅极电极(360_2)耦合的第二栅极端子(330_3)、与第二源极电极(360_1)耦合的第二感测端子(330_2),以及与第二源极电极(360_1)耦合的双向开关(100')的第二功率端子(330_1);并且其中载体(340;340')以及第一行端子(320)和第二行端子(330)是引线框架的部分。
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