[发明专利]三维半导体装置在审
| 申请号： | 201711214301.4 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108538844A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 金英宇;任峻成;尹壮根;黄盛珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11526 | 分类号： | H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种三维(3D)半导体装置，所述3D半导体装置包括具有单元阵列区和外围电路区的基底。单元阵列结构位于单元阵列区中，并包括3D存储器单元阵列。外围逻辑结构位于外围电路区中并包括外围电路晶体管。单元绝缘层使单元阵列结构绝缘。外围绝缘层与外围逻辑结构和单元阵列区绝缘并且具有多孔层。 | ||
| 搜索关键词： | 单元阵列区 绝缘层 单元阵列结构 半导体装置 外围电路区 逻辑结构 外围 绝缘 存储器单元阵列 三维半导体装置 外围电路晶体管 多孔层 基底 三维 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：基底，具有单元阵列区和外围电路区；单元阵列结构，位于单元阵列区中并包括三维存储器单元阵列；外围逻辑结构，位于外围电路区中并包括外围电路晶体管；单元绝缘层，使单元阵列结构绝缘；以及外围绝缘层，使外围逻辑结构绝缘，并具有多孔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
