[发明专利]无焊垫外扇晶粒叠层结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201711119770.8 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786362B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无焊垫的外扇晶粒叠层结构，包括位于基材上的第一晶粒；第一介电层，共形地覆盖于第一晶粒上；第一线路重布层，位于第一介电层上；第一插塞，电性连接第一晶粒和第一线路重布层；第一覆盖层，共形地覆盖于第一线路重布层上；第二晶粒，贴附于第一覆盖层上；第二介电层，共形地覆盖于第二晶粒上；第二线路重布层，位于第二介电层上；第二插塞，电性连接第二晶粒和第二线路重布层；第二覆盖层，共形地覆盖于第二线路重布层上；图案化导电层，位于第二覆盖层上；层间连接结构分别将第一线路重布层和第二线路重布层连接至图案化导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 无焊垫外扇 晶粒 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种无焊垫的外扇晶粒叠层结构，包括：一基材；一第一晶粒(die)，位于该基材上；一第一介电层，共形地(conformally)覆盖于该第一晶粒上，并与该基材接触；一第一线路重布层(Redistribution Layer，RDL)位于该第一介电层上；一第一插塞，穿过该第一介电层，以电性连接该第一晶粒和该第一线路重布层；一第一覆盖层，共形地覆盖于该第一线路重布层上，并与该第一介电层接触；一第二晶粒，贴附于该第一覆盖层上；一第二介电层，共形地覆盖于该第二晶粒上，并与该第一覆盖层接触；一第二线路重布层，位于该第二介电层上；一第二插塞，穿过该第二介电层，以电性连接该第二晶粒和该第二线路重布层；一第二覆盖层，共形地覆盖于该第二线路重布层上，并与该第二介电层接触；一图案化导电层，位于该第二覆盖层上；以及一层间连接结构，分别将该第一线路重布层和该第二线路重布层连接至该图案化导电层。
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