[发明专利]具有多量子阱结构的半导体激光二极管有效
| 申请号： | 201711043860.3 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108011295B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 小河直毅 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;崔利梅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多量 结构 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管，包括：半导体衬底，其由磷化铟(InP)制成；光栅，其设置在所述半导体衬底上；n型层，其掩埋所述光栅；以及有源层，其具有多量子阱(MQW)结构的布置，所述多量子阱结构包括彼此交替堆叠的多个势垒层和多个阱层，所述势垒层具有拉伸应力，并且所述阱层具有压缩应力，所述多量子阱结构还提供了各自夹在所述势垒层和所述阱层之间的多个中间层，其中，所述中间层在所述势垒层和所述阱层之间各自具有应力并且具有小于1nm的厚度。
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