[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201710951990.0 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107958841B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 大山裕辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，使全部的电极柱可靠地在晶片的背面露出。一种晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有器件，并且埋入有在该晶片的厚度方向上延伸并从该晶片的正面到规定的深度位置的多个电极柱，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保持步骤，利用保持工作台对晶片的正面侧进行保持；薄化步骤，通过对该保持工作台所保持的晶片的背面侧进行加工而将该晶片薄化至规定的厚度；以及判定步骤，在实施了该薄化步骤之后，对晶片的背面进行拍摄并生成拍摄图像，根据该拍摄图像来判定有无未露出于该背面的电极柱，在通过该判定步骤判定为存在未露出于晶片的背面的电极柱的情况下，实施使晶片进一步薄化的追加加工步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有器件，并且该晶片中埋入有多个电极柱，该多个电极柱在该晶片的厚度方向上延伸，并从该晶片的正面到规定的深度位置，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保持步骤，利用保持工作台对晶片的正面侧进行保持；薄化步骤，通过对该保持工作台所保持的晶片的背面侧进行加工而将该晶片薄化至规定的厚度；以及判定步骤，在实施了该薄化步骤之后，对晶片的背面进行拍摄并生成拍摄图像，根据该拍摄图像来判定有无未露出于该背面的电极柱，在通过该判定步骤判定为存在未露出于晶片的背面的电极柱的情况下，实施使晶片进一步薄化的追加加工步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
