[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201710951990.0 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN107958841B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 大山裕辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
提供晶片的加工方法,使全部的电极柱可靠地在晶片的背面露出。一种晶片的加工方法,该晶片在正面上形成有器件,并且埋入有在该晶片的厚度方向上延伸并从该晶片的正面到规定的深度位置的多个电极柱,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:保持步骤,利用保持工作台对晶片的正面侧进行保持;薄化步骤,通过对该保持工作台所保持的晶片的背面侧进行加工而将该晶片薄化至规定的厚度;以及判定步骤,在实施了该薄化步骤之后,对晶片的背面进行拍摄并生成拍摄图像,根据该拍摄图像来判定有无未露出于该背面的电极柱,在通过该判定步骤判定为存在未露出于晶片的背面的电极柱的情况下,实施使晶片进一步薄化的追加加工步骤。
技术领域
本发明涉及由半导体等构成的晶片的加工方法。
背景技术
对在正面上形成有多个器件的大致圆板形状的晶片进行分割而形成具有IC、LSI等器件的芯片。在该晶片的正面上在由设定为格子状的分割预定线划分出的多个区域内分别形成有该多个器件。在形成了多个器件之后,通过磨削装置或研磨装置等从背面侧对晶片进行加工而薄化至规定的厚度。薄化后的该晶片被切削装置等沿着分割预定线进行切削从而分割成各个芯片。
具有器件的芯片被广泛地搭载在移动电话、个人计算机等各种电子设备中。针对各种电子设备的小型化、薄型化的要求日渐提高,与此相伴地也对芯片的小型化、薄型化以及安装芯片所需的面积的省面积化等进行研究。
近年来,作为提高器件的集成度的技术,实用化了堆积多个芯片而进行安装的技术。此外,为了使堆积的多个芯片之间的电连接实现省空间,实用化了通过埋入到贯通芯片的孔中的贯通电极(以下,称为电极柱)将芯片之间电连接的技术。在专利文献1和专利文献2中公开了利用电极柱将所层叠的芯片之间电连接的技术。
电极柱例如是通过从分割前的晶片的正面形成规定的深度的孔并在该孔中埋入导电材料而形成的。之后,在从背面对晶片进行加工而薄化时将该孔的底部去除,使埋入在该孔中的电极柱在背面侧露出。
专利文献1:日本特开2001-53218号公报
专利文献2:日本特开2005-136187号公报
埋入有导电材料的该孔按照与最终形成的芯片的完工厚度相同程度的深度形成,但各孔的深度存在偏差。因此,有时即使通过磨削装置、研磨装置或刀具切削装置等加工装置对具有埋入有导电材料的多个该孔的晶片的背面进行加工而使该晶片薄化至设计值,也无法将全部的孔的底部去除,一部分的电极柱不在背面侧露出。
因此,需要确认在对晶片进行了薄化时是否全部的电极柱在晶片的背面侧露出。以往,作业者通过目视晶片的背面来进行确认,但为此必须使晶片从实施了薄化的场所移动,进而在需要追加加工时需要使晶片返回到原来的场所,作业变得复杂。并且,产生了忽略未露出的电极柱等问题。
发明内容
本发明是鉴于该问题而完成的,其目的在于,提供晶片的加工方法,能够有效地判定多个电极柱是否全部在薄化后的晶片的背面上露出。并且,提供晶片的加工方法,能够在存在未露出的电极柱的情况下进行可靠地检测而实施追加加工,使全部的电极柱在该背面上露出。
根据本发明的一个方式,提供晶片的加工方法,该晶片在正面上形成有器件,并且该晶片中埋入有多个电极柱,该多个电极柱在该晶片的厚度方向上延伸,并从该晶片的正面到规定的深度位置,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的步骤:保持步骤,利用保持工作台对晶片的正面侧进行保持;薄化步骤,通过对该保持工作台所保持的晶片的背面侧进行加工而将该晶片薄化至规定的厚度;以及判定步骤,在实施了该薄化步骤之后,对晶片的背面进行拍摄并生成拍摄图像,根据该拍摄图像来判定有无未露出于该背面的电极柱,在通过该判定步骤判定为存在未露出于晶片的背面的电极柱的情况下,实施使晶片进一步薄化的追加加工步骤。
另外,在本发明的一个方式中,也可以该判定步骤是在晶片被保持在该保持工作台上的状态下实施的,该追加加工步骤是在该晶片被保持在该保持工作台上的状态下执行的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造