[发明专利]晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201710951990.0 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN107958841B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 大山裕辅 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;H01L21/67
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,该晶片在正面上形成有器件,并且该晶片中埋入有多个电极柱,该多个电极柱在该晶片的厚度方向上延伸,并从该晶片的正面到规定的深度位置,其特征在于,

该晶片的加工方法具有如下的步骤:

保持步骤,利用保持工作台对晶片的正面侧进行保持;

薄化步骤,通过利用磨削单元或研磨单元对该保持工作台所保持的晶片的背面侧进行加工而将该晶片薄化至规定的厚度;以及

判定步骤,在实施了该薄化步骤之后,对晶片的背面进行拍摄并生成拍摄图像,根据该拍摄图像来判定有无未露出于该背面的电极柱,

在通过该判定步骤判定为存在未露出于晶片的背面的电极柱的情况下,实施利用磨削单元或研磨单元使晶片进一步薄化的追加加工步骤。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,

该判定步骤是在晶片被保持在该保持工作台上的状态下实施的,

该追加加工步骤是在该晶片被保持在该保持工作台上的状态下执行的。

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