[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置。在Ti膜设置于由BPSG等构成的层间绝缘膜上的情况下，由于Ti膜吸出层间绝缘膜所含有的氧，所以导致Ti膜变化为TiO2膜。这样，TiO2膜与层间绝缘膜的密合性降低。因此，存在源电极或发射电极从层间绝缘膜剥离，半导体装置的可靠性降低的问题。本发明的半导体装置具有：半导体基板；绝缘膜，其含有氧，且设置于半导体基板上，具有使半导体基板露出的开口；第一势垒金属部，其至少设置于开口的底部，层叠有一种以上的膜；上部电极，其设置于绝缘膜的上方，在绝缘膜的上表面与上部电极之间不设置势垒金属，或者在绝缘膜的上表面与上部电极之间还具备与第一势垒金属部的构成不同的第二势垒金属部。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；绝缘膜，其包含氧，且设置于所述半导体基板上，具有使所述半导体基板露出的开口；第一势垒金属部，其至少设置于所述开口的底部，由一种以上的膜层叠而成；以及上部电极，其设置于所述绝缘膜的上方，在所述绝缘膜的上表面与所述上部电极之间不设置势垒金属，或者在所述绝缘膜的上表面与所述上部电极之间还具备与所述第一势垒金属部的构成不同的第二势垒金属部。