[发明专利]阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710885206.0 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560133A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘梅 | 申请（专利权）人： | 南京誉凯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极(6)，中间为栅极(7)，主势垒层(4)上设有n个辅沟道层与辅势垒层组成的交替循环异质结构，n的取值为1~3；最顶层辅势垒层与主势垒层(4)之间设有凹槽(9)，该凹槽靠近漏极一侧的凹槽壁呈阶梯型；栅极(7)位于凹槽(9)中，且栅极与凹槽之间设有介质层(8)。本发明提高了击穿电压、降低了源漏极欧姆接触电阻，且工艺简单，可用作高温高频高可靠大功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 主势垒层 高电子迁移率晶体管 阶梯型凹槽栅 辅势垒层 漏极 交替循环异质结构 欧姆接触电阻 大功率器件 辅沟道层 击穿电压 制作工艺 主沟道层 凹槽壁 成核层 电压低 高可靠 阶梯型 介质层 源漏极 最顶层 场板 衬底 击穿 可用 源极 | ||
【主权项】：
1.一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管HEMT，自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极(6)，中间为栅极(7)，其特征在于：主势垒层(4)上设有n个辅沟道层与辅势垒层组成的交替循环异质结构，n的取值为1～3；最顶层辅势垒层与主势垒层(4)之间设有凹槽(9)，该凹槽靠近漏极一侧的凹槽壁呈阶梯型；栅极(7)位于凹槽(9)中，且栅极与凹槽之间设有介质层(8)。
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