[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710844807.7 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524395B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 邱建维;林鑫成;胡钰豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/72;H01L21/76;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，其中半导体基底包含第一区和第二区，埋置层设置于半导体基底的第一区内且具有第一导电类型，其中埋置层的掺质浓度高于半导体基底的掺质浓度，外延层设置于半导体基底上，第一元件设置于半导体基底的第一区上，其中第一元件包含双载子‑互补金属氧化物半导体‑双扩散金属氧化物半导体晶体管，以及第二元件设置于半导体基底的第二区上，其中第二元件包含超高压晶体管。本发明可有效防止设置于半导体基底的第一区的BCD晶体管产生闩锁效应，进而避免BCD晶体管因短路而烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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