[发明专利]一种多晶硅沉积方法以及多晶硅沉积设备在审
| 申请号： | 201710772560.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507761A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 吴俊;王家友;王秉国;郁赛华;蒲浩 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本方案提供了一种多晶硅沉积方法以及多晶硅沉积设备，该多晶硅沉积方法应用于三维存储器，所述三维存储器包括至少一层多晶硅层，首先沉积第一层多晶硅层，然后在第一层多晶硅层表面鼓入氟化物气体，以使氟化物气体与第一层多晶硅层上的氧化层反应，去除第一层多晶硅层表面的自然氧化层，然后在第一层多晶硅层的表面沉积第二层多晶硅层。有效的避免了多晶硅沟道中产生氧化层的现象，提升了3D NAND存储器的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 沉积 方法 以及 设备 | ||
【主权项】：
一种多晶硅沉积方法，其特征在于，应用于三维存储器，所述三维存储器包括至少一层多晶硅层，所述方法包括：沉积第一层多晶硅层；在所述第一层多晶硅层表面鼓入氟化物气体；在所述第一层多晶硅层的表面沉积第二层多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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