[发明专利]一种垂直结构发光二极管芯片阵列及其制作方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构发光二极管芯片阵列的制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一设有多个芯片的导电基板，多个芯片间隔分布在导电基板的同一表面上，每个芯片包括依次层叠在导电基板上的P型氮化镓层、多量子阱层和N型高掺杂氮化镓层；在多个芯片之间形成绝缘材料层，绝缘材料层的厚度等于芯片的厚度，或者，绝缘材料层的厚度大于芯片的厚度，绝缘材料层超出芯片的部分的侧面与顶面之间的夹角大于120°；在芯片和绝缘材料层上形成透明导电薄膜；在透明导电薄膜上设置金属电极，形成垂直结构发光二极管芯片阵列。本发明利用绝缘材料层避免透明导电薄膜断裂，可有效提高芯片阵列的成品率。

主权项

一种垂直结构发光二极管芯片阵列的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一设有多个芯片的导电基板，所述多个芯片间隔分布在所述导电基板的同一表面上，每个所述芯片包括依次层叠在所述导电基板上的P型氮化镓层、多量子阱层和N型高掺杂氮化镓层；在所述多个芯片之间形成绝缘材料层，所述绝缘材料层的厚度等于所述芯片的厚度，或者，所述绝缘材料层的厚度大于所述芯片的厚度，所述绝缘材料层超出所述芯片的部分的侧面与顶面之间的夹角大于120°；在所述芯片和所述绝缘材料层上形成透明导电薄膜；在所述透明导电薄膜上设置金属电极，形成垂直结构发光二极管芯片阵列。