[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效

申请号：	201710459328.3	申请日：	2017-06-16
公开（公告）号：	CN107275288B	公开（公告）日：	2019-12-24
发明（设计）人：	柳铭岗;林永伦	申请（专利权）人：	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L21/84	分类号：	H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司：	44265 深圳市德力知识产权代理事务所	代理人：	林才桂
地址：	518132 广东省深***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。该TFT基板的制作方法在制作色阻层时，使多个色阻单元暴露出TFT层中的栅极线及TFT，且在相邻的第一色阻单元之间设置第一色阻块，在相邻的第二色阻单元之间设置尺寸小于第一色阻块的第二色阻块，在相邻两行色阻单元之间设置覆盖第一色阻块及第二色阻块并覆盖栅极线及TFT的第三色阻条，由于第一色阻块与第二色阻块尺寸的差异，使第三色阻条位于第一色阻块上的部分的高度大于位于第二色阻块上的部分的高度，从而利用一单色调光罩即可形成包括覆盖栅极线及TFT的第一遮光区、分别位于第一、第二色阻块上高度不同的主、辅助隔垫物的BPS遮光层，降低制作BPS遮光层的材料的开发难度，增强色阻层的抗剥落性。
搜索关键词：	tft 制作方法基板
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【主权项】：

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1、提供衬底基板(100)，在所述衬底基板(100)上形成TFT层(200)；/n所述TFT层(200)包括平行间隔排列的多行栅极线(220)、平行间隔排列的多列数据线(230)、及阵列排布的多个TFT(210)；/n步骤S2、在所述TFT层(200)上形成平坦化层(300)；/n步骤S3、在所述平坦化层(300)上形成色阻层(400)；/n所述色阻层(400)包括：交替排列的多列第一色阻单元(410)、多列第二色阻单元(420)及多列第三色阻单元(430)、位于相邻的第一色阻单元(410)之间的第一色阻块(411)、位于相邻的第二色阻单元(420)之间的第二色阻块(421)、以及于第一色阻块(411)及第二色阻块(421)上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条(431)，多个色阻单元暴露出栅极线(220)及TFT(210)所在区域，第一色阻块(411)的尺寸大于第二色阻块(421)的尺寸；/n步骤S4、在色阻层(400)上形成钝化层(500)，在钝化层(500)上形成像素电极(600)；/n步骤S5、在钝化层(500)及像素电极(600)上涂布BPS遮光材料，采用一道单色调光罩对所述BPS遮光材料进行图案化形成BPS遮光层(700)；/n所述BPS遮光层(700)包括：覆盖栅极线(220)及TFT(210)所在区域的第一遮光区(710)、对应位于第一色阻块(411)上方的主隔垫物(720)、及对应位于第二色阻块(421)上方的辅助隔垫物(730)；/n所述第一色阻单元(410)及第一色阻块(411)的材料为红色色阻材料，所述第二色阻单元(420)及第二色阻块(421)的材料为绿色色阻材料，所述第三色阻单元(430)及第三色阻条(431)的材料为蓝色色阻材料；/n所述第一色阻块(411)及所述第二色阻块(421)均位于栅极线(220)及TFT(210)所在区域上方，所述第三色阻条(431)覆盖栅极线(220)及TFT(210)所在区域。/n

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摘要：本申请提供一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板，所述阵列基板的制备方法包括：在形成有薄膜晶体管及触控信号线的基板上制备无机绝缘层，在无机绝缘层上形成图案化的公共电极，之后在公共电极上制备一层钝化层，采用同一道光罩工艺对钝化层以及无机绝缘层进行图案化，以形成露出薄膜晶体管的漏极以及触控信号线的第一过孔，以及形成露出公共电极的第二过孔，使得触控信号线与公共电极通过形成于钝化层表面的触控电极桥接。本申请采用该工艺制程能够解决低温多晶硅有源矩阵朝着缩小特征尺寸的方向发展时，造成设备成本增长，且制程工艺复杂的问题。

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摘要：本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。该TFT基板的制作方法在制作色阻层时，使多个色阻单元暴露出TFT层中的栅极线及TFT，且在相邻的第一色阻单元之间设置第一色阻块，在相邻的第二色阻单元之间设置尺寸小于第一色阻块的第二色阻块，在相邻两行色阻单元之间设置覆盖第一色阻块及第二色阻块并覆盖栅极线及TFT的第三色阻条，由于第一色阻块与第二色阻块尺寸的差异，使第三色阻条位于第一色阻块上的部分的高度大于位于第二色阻块上的部分的高度，从而利用一单色调光罩即可形成包括覆盖栅极线及TFT的第一遮光区、分别位于第一、第二色阻块上高度不同的主、辅助隔垫物的BPS遮光层，降低制作BPS遮光层的材料的开发难度，增强色阻层的抗剥落性。

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摘要：本发明公开了一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法，包括以下步骤：S1、在多晶硅衬底表面上通过热氧化生长法形成具有介质隔离作用的第一氧化层；S2、在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出通孔；S3、通过通孔，在第一氧化层表面，利用选择外延生长形成第一多晶硅层；S4、在第一多晶硅层上，利用热生长使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层；S5、在第二氧化层表面，利用选择外延生长形成第二多晶硅层；S6、在第二多晶硅层内靠近第二氧化层的区域处注入离子，形成金属杂质吸附层。本发明能提高SOI器件的抗辐射性能，同时还避免了游离的金属杂质对电路及电子元件的影响，保证了该绝缘体上硅结构的CMOS图像传感器的成像不会出现白点。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效

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