[发明专利]一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法在审
| 申请号： | 201710437897.8 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107275921A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 徐雨萌;薄报学;高欣;乔忠良;张晶;李辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体及含六氟化硫等离子气氛表面处理砷化镓基半导体激光器腔面，结合真空镀膜或化学气相沉积制备保护膜，然后进行激光器腔面的高反膜或减反膜镀制，形成高功率工作条件下对工作环境气氛稳定的激光器腔面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 砷化镓基 半导体激光器 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，其特征在于，通过六氟化硫的等离子气氛表面处理减少砷化镓基半导体激光器腔面的非辐射复合缺陷，从而抑制砷化镓基半导体激光器在高功率工作条件下的腔面温度升高与退化。
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- 2016-03-28 - 2016-06-01 - H01S5/028
- 一种半导体激光器腔面钝化方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效满足高功率半导体激光器腔面钝化的技术要求，使半导体激光器在高功率条件下的工作稳定性受到限制。本发明采用短波激光激发钝化气体分子离化，在较低的温度条件下使钝化气体与GaAs半导体激光器腔面发生化学反应，生成具有高化学稳定性的表面层，该表面层对GaAs半导体激光器腔面的内部结构起到保护作用，从而改善GaAs半导体激光器腔面在环境气氛中高功率工作的可靠性。该方法可应用于各类GaAs基高功率半导体激光器的制造。
- 一种用于生产光窗金属帽的石墨板-201520623629.1
- 丁绍平;朱俊 - 马鞍山中杰电子科技有限公司
- 2015-08-18 - 2015-12-02 - H01S5/028
- 本实用新型公开了一种用于生产光窗金属帽的石墨板，属于激光二极管制造领域。一种用于生产光窗金属帽的石墨板，包括石墨板，所述的石墨板为矩形，石墨板靠近四角处各设置有一个定位孔，所述的石墨板上呈阵列设置有若干个石墨模柱，所述的石墨模柱为圆柱形，每一排和每一列的两个石墨模柱之间的间距相等。更进一步的，所述的石墨模柱包括模柱体和模柱孔，所述的模柱孔设置于模柱体顶部中心，模柱孔为圆形盲孔，模柱孔孔径小于模柱体直径。它具有生产的金属帽透光率好，帽壳内侧氧化程度控制精确的优点。
- 用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管-201380051032.8
- 贝恩哈德·施托耶茨;艾尔弗雷德·莱尔;克里斯托夫·艾克勒 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2013-07-29 - 2015-06-03 - H01S5/028
- 本发明提出一种用于制造半导体激光二极管的方法，所述方法具有下述步骤：-在生长衬底(1)上外延地生长具有至少一个有源层(3)的半导体层序列(2)；-在半导体层序列(2)和生长衬底(1)上构成正面小面(5)，其中所述正面小面构建为具有用于在制成的半导体激光二极管中产生的激光(30)的光放射区域(6)的主放射面；-在正面小面(5)的第二部分(52)上构成耦合输出覆层(9)，其中第一部分(51)和第二部分(52)在平行于所述正面小面(5)的方向上并且沿着半导体层序列(2)的生长方向至少部分地彼此并排地设置，使得所述第一部分(51)至少部分地没有耦合输出覆层(9)并且第二部分(52)至少部分地没有光阻挡层(8)，并且其中第二部分(52)具有光出射区域(6)；-在正面小面(5)的第一部分(51)上构成光阻挡层(8)。此外提出一种半导体激光二极管。
- 氮化物半导体激光元件-201380031459.1
- 吉田真治;持田笃范;冈口贵大 - 松下知识产权经营株式会社
- 2013-08-28 - 2015-02-18 - H01S5/028
- 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，设有即便在激光器工作中也不会发生膜剥落的牢固的端面保护膜，具有较高的可靠性。氮化物半导体激光元件具备：半导体层叠体，其由III族氮化物半导体构成，并具有发光端面；和保护膜，其由按照覆盖半导体层叠体中的发光端面的方式形成的电介质多层膜构成，保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成，从发光端面起按照端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置，端面保护层是具有由含铝的氮化物构成的结晶性膜的层，氧扩散抑制层是氧化硅膜夹着金属氧化物膜的构造，金属氧化物膜通过激光而结晶化。
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