[发明专利]栅电极及其制作方法、阵列基板制作方法在审
| 申请号： | 201710389075.7 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107170806A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张斌;刘建宏;詹裕程;孙雪菲;周婷婷 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅电极及其制作方法、阵列基板制作方法，该栅电极制作方法包括以下步骤S1，提供一基板，该基板包括栅电极区域和非栅电极区域；S2，在基板上形成栅电极层，该栅电极层包括对应栅电极区域的导电部分和对应非栅电极区域的透明部分。本发明提供的栅电极及其制作方法、阵列基板制作方法的技术方案，可以消除段差，从而在对非晶硅层进行ELA工艺时，可以避免因段差对多晶硅的结晶性能产生的影响，从而可以获得良好的结晶效果。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种栅电极制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供一基板，所述基板包括栅电极区域和非栅电极区域；S2，在所述基板上形成栅电极层，所述栅电极层包括对应所述栅电极区域的导电部分和对应所述非栅电极区域的透明部分，所述导电部分的厚度与所述透明部分的厚度一致。
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