[发明专利]半导体装置的形成方法

摘要

一种等离子体掺杂制程，其对鳍状物中的淡掺杂源极/漏极区提供共形的掺杂轮廓，并减少由等离子体掺杂引起的鳍状物高度减损。上述等离子体掺杂制程克服了在鳍状物结构的传统的等离子体掺杂制程造成的限制，例如结构的具挑战性的高宽比及紧密的节距。已证实，具有共形的淡掺杂源极/漏极区及减少鳍状物高度损失的半导体装置的并联电阻较低且晶体管效能得到改善。

主权项

1.一种半导体装置的形成方法，包含：在一基底上形成多个鳍状物，上述多个鳍状物的每个鳍状物各具有一上表面与一对对向的侧表面；在上述多个鳍状物的一第一鳍状物上形成一栅结构，该栅结构具有一第一侧壁与对向的一第二侧壁；在该第一侧壁上形成一第一水平间隔物，在该第二侧壁上形成一第二水平间隔物；形成邻接于该第一侧壁的一第一淡掺杂源极/漏极区与邻接于该第二侧壁的一第二淡掺杂源极/漏极区，并以一多周期等离子体掺杂制程对上述多个鳍状物的每个鳍状物的上表面及侧表面作掺杂；对该基底施加一直流偏压，历时一预定的周期数；以及进行一尖峰退火；其中该直流偏压是以一标称不变的速率升降。