[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包含：

在一基底上形成多个鳍状物，上述多个鳍状物的每个鳍状物各具有一上表面与一对对向的侧表面；

将一栅结构置于上述多个鳍状物的一鳍状物上，该栅结构具有一第一侧壁与一第二侧壁；

将一第一水平间隔物置于该第一侧壁上，将一第二水平间隔物置于该第二侧壁上；以及

形成邻接于该第一水平间隔物的一第一掺杂源极/漏极区与邻接于该第二水平间隔物的一第二掺杂源极/漏极区，其中形成该第一掺杂源极/漏极区与该第二掺杂源极/漏极区，包含：

形成离子化掺杂物种的等离子体，其包括多个射频等离子体功率脉冲，上述多个射频等离子体功率脉冲具有一不变的振幅；

在形成上述离子化掺杂物种的等离子体之后，在第一数量的上述多个射频等离子体功率脉冲的期间对该基底施加一第一负直流偏压，以在每个上述多个鳍状物的上表面上形成上述离子化掺杂物种的一掺杂层；以及

在第二数量的上述多个射频等离子体功率脉冲的期间将该第一负直流偏压线性减少至一第二负直流偏压，以增加该掺杂层中的上述离子化掺杂物种的浓度。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一负直流偏压为-0.5kV，该第二负直流偏压为-1.5kV。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中形成该第一掺杂源极/漏极区与该第二掺杂源极/漏极区，还包含：

在将该第一负直流偏压线性减少至该第二负直流偏压之后，对该基底施加该第二负直流偏压，以增加该掺杂层中的上述离子化掺杂物种的浓度。

4.如权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其中

施加该第一负直流偏压，而注入一第一掺杂剂量的上述离子化掺杂物种，该第一掺杂剂量包括上述离子化掺杂物种的总掺杂剂量的百分之十；

将该第一负直流偏压线性减少至该第二负直流偏压，而注入一第二掺杂剂量的上述离子化掺杂物种，该第二掺杂剂量包括上述离子化掺杂物种的总掺杂剂量的百分之十与百分之二十之间；以及

施加该第二负直流偏压，而注入一第三掺杂剂量的上述离子化掺杂物种，该第三掺杂剂量包括上述离子化掺杂物种的总掺杂剂量的百分之七十与百分之八十之间。

5.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，其中每个该第一掺杂剂量、该第二掺杂剂量与该第三掺杂剂量分别应用一第一数量、一第二数量与一第三数量的上述多个射频等离子体功率脉冲，该第一数量、该第二数量与该第三数量彼此互异。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中上述多个射频等离子体功率脉冲具有5kHz的名义上的频率。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中上述多个射频等离子体功率脉冲的该不变的振幅为250瓦。

8.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一负直流偏压以比该第二负直流偏压的情况还低的静电力，吸引上述离子化掺杂物种。

9.一种半导体装置的形成方法，包含：

接收一基底，其上具有多个鳍状物，每个鳍状物各具有一上表面、一对对向的侧表面及置于其上的一栅结构；以及

使用一等离子体掺杂制程，以离子化掺杂物掺杂上述多个鳍状物，包括：

施加具有一不变的振幅脉冲的一射频等离子体，以产生上述离子化掺杂物；

在第一数量的该射频等离子体的该不变的振幅脉冲的期间对该基底施加一第一直流偏压，以在每个上述多个鳍状物的上表面上形成一离子化掺杂物层；

在第二数量的该射频等离子体的该不变的振幅脉冲的期间将施加于该基底的该第一直流偏压线性地转变为一第二直流偏压，以增加上述离子化掺杂物上的静电力；以及

在将该第一直流偏压线性地转变为该第二直流偏压之后，对该基底施加该第二直流偏压，以增加每个上述多个鳍状物中的上述离子化掺杂物的掺杂物浓度。