[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底上具有栅极层；在栅极层侧壁上形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙包括栅极层侧壁上的第一侧墙部和基底上的初始第二侧墙部，第一侧墙部与初始第二侧墙部连接，第二侧墙位于初始第二侧墙部上，且覆盖第一侧墙部侧壁，第二侧墙侧壁暴露出初始第二侧墙部侧壁；在栅极层、第一侧墙和第二侧墙两侧基底内形成初始开口，初始开口侧壁与底部垂直；形成初始开口后，去除部分初始第二侧墙部，形成第二侧墙部，第二侧墙部侧壁相对第二侧墙侧壁向栅极层凹陷；以第二侧墙部和栅极层为掩膜，在第二侧墙部和栅极层两侧基底内形成开口，开口侧壁具有顶角，顶角向栅极层下方基底内延伸。所述方法提高了晶体管性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有栅极层；在所述栅极层的侧壁上形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙包括位于栅极层侧壁上的第一侧墙部和位于基底上的初始第二侧墙部，且所述第一侧墙部与初始第二侧墙部连接，所述第二侧墙位于初始第二侧墙部上，且所述第二侧墙覆盖第一侧墙部的侧壁，第二侧墙的侧壁暴露出初始第二侧墙部的侧壁；以所述栅极层、第一侧墙和第二侧墙为掩膜，在所述栅极层、第一侧墙和第二侧墙两侧的基底内形成初始开口，所述初始开口的侧壁与初始开口的底部表面垂直；形成所述初始开口之后，去除部分初始第二侧墙部，形成第二侧墙部，所述第二侧墙部的侧壁相对于第二侧墙的侧壁向栅极层凹陷；以所述第二侧墙部和栅极层为掩膜，在所述第二侧墙部和栅极层两侧的基底内形成开口，所述开口的侧壁具有顶角，所述顶角向位于栅极层下方的基底内延伸。