[发明专利]晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710276861.6 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107425048A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 薛婉君;黄进义;曾国隆;杨卓苍 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了具有垂直沟道区的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。第一半导体区形成在第二半导体区上方，并具有第一掺杂类型。第二半导体区具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。栅电极形成为横向邻近第一半导体区并且沿着第一半导体区的侧边界延伸。第一源极/漏极接触区和第二源极/漏极接触区分别形成在栅电极的相对侧上，并且具有第二掺杂类型。第一源极/漏极接触区还形成在第一半导体区上方。本发明的实施例还提供了晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：第一半导体区，布置在第二半导体区上方，其中，所述第一半导体区和所述第二半导体区分别具有第一掺杂类型和不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型；第一源极/漏极接触区和第二源极/漏极接触区，具有所述第二掺杂类型并且横向间隔开，其中，所述第一源极/漏极接触区布置在所述第一半导体区上方；以及栅电极，布置为横向邻近所述第一半导体区并且横向位于所述第一源极/漏极接触区和所述第二源极/漏极接触区之间，其中，所述栅电极沿着所述第一半导体区的侧边界延伸。
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