[发明专利]一种阵列基板制程

摘要

本发明提供了一种阵列基板制程，包括：在一基板上形成一第一金属层，蚀刻第一金属层；沉积一绝缘层与基板及所述第一金属层上；于绝缘层上，沉积一主动层以及以欧姆接触层；蚀刻主动层及欧姆接触层；于欧姆接触层以及绝缘层上沉积一第二金属层，并蚀刻第二金属层；于第二金属层以及绝缘层上沉积一保护层；于保护层上沉积一光阻层并进行曝光及显影；于彩色光阻层上直接沉积一透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以形成像素电极层。本发明的阵列基板制程通过简化其结构以及生产流程，提高了生产线的效率与产能；并可节省生产设备以及掩膜板费用，降低生产成本。

主权项

1.一种阵列基板的制程，其特征在于，包括以下步骤：/n在一基板上形成一第一金属层，蚀刻所述第一金属层，以形成晶体管的栅极；/n沉积一绝缘层于所述基板及所述栅极上；/n于所述绝缘层上，沉积一主动层及欧姆接触层；/n蚀刻所述主动层及欧姆接触层，以形成所述晶体管的通道；/n于所述欧姆接触层以及所述绝缘层上沉积一第二金属层，并蚀刻所述第二金属层以形成所述晶体管的源极与漏极；/n于所述第二金属层以及所述绝缘层上沉积一保护层；/n于所述保护层上沉积一彩色光阻层并进行曝光及显影；/n利用具有通孔的掩膜板对所述彩色光阻层曝光，再进行显影与蚀刻操作，进而除去所述绝缘层及所述保护层上对应于所述掩膜板通孔的区域，进而，这些区域对应的金属层可以显露在外面，形成阵列，于所述彩色光阻层上直接沉积一透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以形成像素电极层，其中所述彩色光阻层是直接接觸所述透明导电层。/n