[发明专利]一种阵列基板制程

说明书

本发明提供了一种阵列基板制程，包括：在一基板上形成一第一金属层，蚀刻第一金属层；沉积一绝缘层与基板及所述第一金属层上；于绝缘层上，沉积一主动层以及以欧姆接触层；蚀刻主动层及欧姆接触层；于欧姆接触层以及绝缘层上沉积一第二金属层，并蚀刻第二金属层；于第二金属层以及绝缘层上沉积一保护层；于保护层上沉积一光阻层并进行曝光及显影；于彩色光阻层上直接沉积一透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以形成像素电极层。本发明的阵列基板制程通过简化其结构以及生产流程，提高了生产线的效率与产能；并可节省生产设备以及掩膜板费用，降低生产成本。

技术领域

本发明属于显示屏技术领域，尤其涉及一种阵列基板制程。

背景技术

越来越多的液晶面板需要使用在薄膜晶体管(Thin-film transistor，简称TFT)的阵列上制作彩色滤光膜(Color Filter on Array，简称COA)的工艺来提升液晶面板曲面画质或藉此简化上板的结构(例如:简化平面转换(In-Plane Switching，简称IPS)液晶模式上板的平坦化层(Over Coat，简称OC)结构)。

传统COA结构的液晶面板的阵列制程(Array)工艺流程如下：传统COA结构在栅极与源极制程完成之后，先进行第一绝缘层的成型工序；而后再完成彩色光阻层C包括红色光阻、绿色光阻以及蓝色光阻)的涂布、曝光与显影步骤；如果是搭配了白、红、绿以及蓝四色(white,red,green,blue，简称WRGB)技术的液晶面板，则还需要进行透明光阻层的涂布、曝光与显影步骤。彩色光阻层或透明光阻层结构完成之后再进行第二绝缘层的成型工序，然后涂布光刻胶层(也叫光阻)，并利用带有通孔的掩膜板进行曝光操作，之后再显影与蚀刻以除去对应于通孔处的位于阵列上方的第一绝缘层以及第二绝缘层，后续再除去光刻胶层以接续后面的像素电极(Pixel Electrode，简称PE)制程。

薄膜晶体管液晶显示器产业由于工艺复杂且设备投资巨大，所以生产的成本很高，随着市场的激烈竞争，降低显示屏的生产成本已是平板显示行业必然的发展方向。因此，需要研发一种新的显示面板的生产技术，以进一步降低生产成本，提高生产效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板制程，旨在进一步降低显示面板的生产成本，提高生产效率。

本发明是这样实现的，一种阵列基板的制程，包括以下步骤：

在一基板上形成一第一金属层，蚀刻所述第一金属层，以形成晶体管的栅极；

沉积一绝缘层于所述基板及所述栅极上；

于所述绝缘层上，沉积一主动层及欧姆接触层；

蚀刻所述主动层及欧姆接触层，以形成所述晶体管的通道；

于所述欧姆接触层以及所述绝缘层上沉积一第二金属层，并蚀刻所述第二金属层以形成所述晶体管的源极与漏极；

于所述第二金属层以及所述绝缘层上沉积一保护层；

于所述保护层上沉积一彩色光阻层并进行曝光及显影；

于所述彩色光阻层上直接沉积一透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以形成像素电极层，其中所述彩色光阻层是直接接觸所述透明导电层。

进一步地，所述在一玻璃基板上形成一金属层，蚀刻所述第一金属层，以形成晶体管栅极的具体步骤包括：

基板清洗，去除异物；

成膜工艺，在干净的基板表面，通过溅射沉积形成金属薄膜；

上光阻，在已形成的金属薄膜上面均匀涂覆一层光刻胶；

曝光，紫外线透过掩模板照射基板上的光刻胶，进行曝光；