[发明专利]一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法

摘要

本发明公开了一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法。该方法首先在支撑衬底上沉积半导体薄膜和保护绝缘层；其次在保护绝缘层上沉积激光吸收层，并通过刻蚀激光吸收层定义器件区域；利用激光脉冲退火诱导器件区域内的非晶半导体薄膜形核结晶并使得晶粒由器件区域内部向外长大，在器件区域内形成局部单晶结构的半导体薄膜；最后沉积栅极绝缘层和金属栅极，形成半导体薄膜场效应晶体管器件。本发明方法通过激光吸收层阻挡激光脉冲，在衬底表面的局部区域内产生退火效果，控制半导体晶粒的形成位置，避免在器件内部的位置产生晶界。

主权项

一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)在支撑衬底上沉积半导体薄膜、保护绝缘层和激光吸收层；(2)在激光吸收层上定义器件区域，对器件区域的激光吸收层进行刻蚀，形成器件窗口；(3)通过激光退火使器件窗口内的半导体薄膜发生重结晶，在器件区域内形成单晶半导体薄膜；(4)形成源极和漏极，沉积栅极绝缘层和金属栅极，形成半导体场效应晶体管器件。