[发明专利]一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 201710236801.1 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107424931A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张睿;赵毅 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 刘静,邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 薄膜 场效应 晶体管 器件 方法 | ||
1.一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
(1)在支撑衬底上沉积半导体薄膜、保护绝缘层和激光吸收层；
(2)在激光吸收层上定义器件区域，对器件区域的激光吸收层进行刻蚀，形成器件窗口；
(3)通过激光退火使器件窗口内的半导体薄膜发生重结晶，在器件区域内形成单晶半导体薄膜；
(4)形成源极和漏极，沉积栅极绝缘层和金属栅极，形成半导体场效应晶体管器件。
2.根据权利要求1所述的一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，所述步骤1中的支撑衬底的材料包括但不限于硅、石英玻璃、聚合物。
3.根据权利要求1所述的一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，所述步骤1中沉积的半导体薄膜材料包括但不限于硅、锗。
4.根据权利要求1所述的一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，所述步骤1中沉积半导体薄膜的工艺为蒸镀或溅射。
5.根据权利要求1所述的一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，所述步骤1中激光吸收层的材料包含但不限于氧化硅、氮化硅。
6.根据权利要求1所述的一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，所述步骤3中的激光退火过程可以在大气气氛、真空气氛或包含但不限于氩气、氮气的保护气氛中进行。
7.根据权利要求1所述的一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，所述步骤3中，激光脉冲的时间为10飞秒至1纳秒，激光脉冲的能量为10毫焦耳每平方厘米至500毫焦耳每平方厘米。
8.根据权利要求1所述的一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法，其特征在于，所述半导体薄膜场效应晶体管器件的结构包含但不限于平面结构器件、绝缘层上半导体结构器件、鳍型结构器件、纳米线结构器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
