[发明专利]一种非接触式微电子探针探测显微成像集成系统在审
| 申请号： | 201710211428.4 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108666191A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张佩佩 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J37/06;H01J37/12;H01J37/141;H01J37/147;H01J37/26;G01R31/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非接触式电子探针探测显微镜成像集成系统，所述显微镜成像集成系统包括电子源系统，刻蚀用离子源系统，高压电源系统，电子光学系统，离子束偏转系统，电子束偏转系统，静电透镜系统，磁透镜驱动系统，真空系统，样品台系统，探测器系统，数据采集系统和图像重建系统，所述电子源系统包含灯丝室、灯丝座、发叉式钨灯丝和三极式静电透镜，所述灯丝座设置有可调节装置。所述显微镜成像集成系统在芯片工作过程中对某个区域进行实时显微测量，从而对芯片的某个具体工作模块实现实时监控并分析其微系统功能，为微电子芯片设计人员提供了一种有效的设计纠错分析手段。 | ||
| 搜索关键词： | 集成系统 显微镜成像 电子探针 电子源 灯丝 芯片 电子束偏转系统 电子光学系统 高压电源系统 静电透镜系统 数据采集系统 图像重建系统 可调节装置 离子束偏转 离子源系统 探测器系统 探测显微镜 微电子芯片 样品台系统 非接触式 工作模块 静电透镜 驱动系统 实时监控 显微测量 显微成像 真空系统 磁透镜 灯丝室 非接触 微系统 钨灯丝 叉式 纠错 刻蚀 三极 成像 探测 分析 | ||
【主权项】：
1.一种非接触式电子探针探测显微镜成像集成系统，其特征在于，所述显微镜成像集成系统包括电子源系统，刻蚀用离子源系统，高压电源系统，电子光学系统，离子束偏转系统，电子束偏转系统，静电透镜系统，磁透镜驱动系统，真空系统，样品台系统，探测器系统，数据采集系统和图像重建系统，所述电子源系统包含灯丝室、灯丝座、发叉式钨灯丝和三极式静电透镜，所述灯丝座设置有可调节装置。
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- 2013-05-14 - 2017-02-22 - H01J37/04
- 本发明提供了一种带电粒子多子束光刻系统，包括用于生成子束的子束发生器、用于形成经调节子束的子束调制器，以及用于将经调制子束投影至目标表面上的子束投影器。发生器、调制器和/或投影器包括一个或多个设置有孔径的板，其孔径使子束通过板。孔径被分组，以形成波束区域，其区别于无子束孔径的非波束区域。具有孔径的板中至少一个设置有冷却配置(93)，冷却配置被部署在其非波束区域中表面上。冷却配置包括板形主体，其具有用于接收冷却液体的入口(31)、用于在其中运送冷却液体的多个冷却通路(94)，以及用于移除冷却液体的出口(35)。在冷却通路之间，板形主体具有与波束区域对准的缝隙(34)。
- 模块化电极装置-201410780988.8
- 杨国辉;蔡陈德;张瀛方;杜陈忠;翁志强 - 财团法人工业技术研究院
- 2014-12-16 - 2016-07-20 - H01J37/04
- 一种模块化电极装置，包含多个主体、一第一电极、至少一第二电极、多个第三电极、至少一第一衔接件、二第二衔接件，主体具有第一侧边、第二侧边及第三侧边，于主体设有一气室及一气体入口；第一电极设置于其中一主体的第二侧边；第二电极设置于另外至少一主体的第二侧边，第二电极串联设置于第一电极的一端；于二第三电极间设有一主体，第三电极与第一电极及第二电极互相连接；第一衔接件设置于第一电极与第二电极间，用以衔接第一电极与第二电极相邻的一端；二个第二衔接件分别设置于串联的第一电极与至少一第二电极的相对二端。
- 一种双层阳极的电子束发生器-201410640073.7
- 韩伟 - 北京小点科技有限公司
- 2014-11-13 - 2016-05-18 - H01J37/04
- 本发明公开了一种双层阳极的电子束发生器，包括：阴极、阳极、聚束极、外护罩、绝缘层，所述的阴极位于电子束发生器顶部，所述的阳极位于电子束发生器底部，阴极与阳极分别与外部电源连接，所述的聚束极位于电子束发生器中部，调整电子束的偏离方向，所述的阳极和聚束极构成双层阳极，所述的外护罩用于提供真空的环境，所述的绝缘层将阴极和阳极、聚束极与外护罩进行电气隔离。
- 一种反应腔室及半导体加工设备-201410272545.8
- 郭峰 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 2014-06-18 - 2016-02-17 - H01J37/04
- 本发明提供的反应腔室及半导体加工设备，包括上电极机构、反应腔机构和定位件，上电极机构叠置在反应腔机构上，定位件设置在上电极机构和反应腔机构相接触的表面上，用以在合盖时实现对上电极机构定位，定位件设置在上电极机构和反应腔机构接触表面的外边沿，并且，定位件包括在上电极机构和反应腔机构上设置的相互配合使用的凹槽和凸部，借助凸部位于与之对应的凹槽内，用以在合盖时实现对上电极机构定位。本发明提供的反应腔室，可以降低通过目视调整上电极机构的难度，从而不仅可以避免重复调整实现快速合盖；而且还可以提高合盖的安全性、可靠性和准确性。
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