[发明专利]基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710198826.7 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN107170797B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 毛维;边照科;丛冠宇;郝跃;王冲;张进成;曹艳荣 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/40;H01L21/335;H01L29/778
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法,其包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7),势垒层上两侧淀积有源极(11),源极之间势垒层上外延有帽层(8),帽层两侧刻有台阶(9),帽层上淀积有栅极(12),两个电流阻挡层之间形成孔径(5),衬底下淀积有肖特基漏极(13),肖特基漏极底部以外的所有区域包裹有钝化层(14),钝化层背面的两侧刻有阶梯,阶梯处淀积有金属,形成阶梯场板(15),该阶梯场板与肖特基漏极电气连接,阶梯场板的下方完全填充保护层(16)。本发明反向击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高,可用于电力电子系统。
搜索关键词: 基于 漏场板 电流 孔径 结晶体 及其 制作方法
【主权项】:
一种基于漏场板的电流孔径异质结晶体管,包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、左右两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(14),势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(11),两个源极下方通过离子注入形成两个注入区(10),源极之间的势垒层上外延有帽层(8),帽层(8)两侧刻有两个台阶(9),帽层上面淀积有栅极(12),衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(13),钝化层(14)完全包裹在除肖特基漏极(13)底部以外的所有区域,两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5),其特征在于:所述钝化层(14),采用阶梯结构,即在钝化层(14)背面的两边刻有整数个阶梯,所有阶梯上淀积有金属,形成对称的两个整体阶梯场板(15),该阶梯场板与肖特基漏极(13)电气连接,形成阶梯漏场板,阶梯场板的下边界所在高度低于或等于衬底(1)的下边界所在高度;所述阶梯场板(15)的下方和钝化层(14)的下方填充有绝缘介质材料,以形成保护阶梯场板(15)的保护层(16)。
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