[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201710188348.1 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107785239A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘奕莹;林钰庭;聂君文;陈威宇;王喻生 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构的形成方法包括将晶片置入晶片载具；将晶片载具置于沉积工具的装载埠上；将晶片载具连接至沉积工具的前端界面单元；以氮气净化前端界面单元；以及在沉积工具中沉积金属层于晶片上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，包括：将一晶片置入一晶片载具；将该晶片载具置于一沉积工具的一装载埠上；将该晶片载具连接至该沉积工具的一前端界面单元；以氮气净化该前端界面单元；以及在该沉积工具中沉积一金属层于该晶片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
