[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。当通过使用后栅工艺并用金属栅极电极替换伪栅极电极来形成MISFET时，对控制栅极电极和伪栅极电极之上的相应的帽绝缘膜和层间绝缘膜两者进行抛光，以防止层间绝缘膜的上表面的过量抛光及凹坑的发生。在后栅工艺中，形成层间绝缘膜以覆盖控制栅极电极和伪栅极电极以及位于其之上的帽绝缘膜。在层间绝缘膜的上表面被抛光以使帽绝缘膜从层间绝缘膜暴露之后，执行蚀刻以选择性地去除帽绝缘膜。随后，对层间绝缘膜的上表面进行抛光。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的主表面之上形成伪栅极电极，并在所述伪栅极电极之上形成第一绝缘膜；(c)在所述半导体衬底的位于所述伪栅极电极旁边的所述主表面中形成一对第一源极/漏极区域；(d)形成覆盖所述伪栅极电极和所述第一绝缘膜并由与所述第一绝缘膜不同的材料制成的第二绝缘膜；(e)抛光所述第二绝缘膜的上表面，以使所述第一绝缘膜的上表面从所述第二绝缘膜暴露；(f)在所述步骤(e)之后，去除所述第一绝缘膜；(g)在所述步骤(f)之后，向下抛光所述第二绝缘膜的所述上表面，以及(h)在所述步骤(g)之后，用包括金属膜的栅极电极替换所述伪栅极电极，以形成包括所述栅极电极和所述第一源极/漏极区域的场效应晶体管，其中，在所述步骤(g)之后，所述第二绝缘膜的所述上表面的位置高于所述伪栅极电极的上表面的位置。