[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，包含：在介电层的上方，沉积掩模层；图形化掩模层，以形成沟槽；涂覆图形化的光致抗蚀剂，其具有在上述掩模层的上方的部分；以及以图形化的光致抗蚀剂作为蚀刻掩模，蚀刻介电层，在介电层的顶部形成介层窗开口。上述方法还包括移除图形化的光致抗蚀剂；以及蚀刻介电层以形成沟槽与介层窗开口，介层窗开口在沟槽下并连接沟槽，其中使用掩模层作为附加的蚀刻掩模来蚀刻介电层。形成于沟槽与介层窗开口的至少其中之一的聚合物，是使用包含氮与氩的工艺气体而移除。填充沟槽与介层窗开口，分别形成金属线与介层窗。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包含：在一介电层的上方，沉积一掩模层；图形化该掩模层，以形成一第一掩模沟槽；涂覆一图形化的光致抗蚀剂，该图形化的光致抗蚀剂具有一第一部分，该第一部分在该掩模层的上方；蚀刻该介电层；蚀刻该介电层以形成一第一沟槽与一第一介层窗开口，该第一介层窗开口在该第一沟槽下并连接该第一沟槽，其中使用该掩模层作为一附加的蚀刻掩模来蚀刻该介电层；使用包含氮与氩的一工艺气体，移除形成于该第一沟槽与该第一介层窗开口的至少其中之一的一聚合物；以及填充该第一沟槽与该第一介层窗开口，以分别形成一第一金属线与一第一介层窗。