[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710175402.9 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN107221525B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | N.井上;金洞院;曹永宇;姜智远;S.Y.韩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的第一下部线和第二下部线，第一下部线和第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与第一方向正交的第二方向间隔开；气隙，其在第一下部线与第二下部线之间并沿着第二方向与它们隔开；第一绝缘间隔物，其在第一下部线的面对第二下部线的侧壁上，其中沿着第二方向从第一气隙到第一下部线的距离等于或大于半导体器件的设计规则的覆盖规格；以及第二绝缘间隔物，其在气隙与第二下部线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在衬底上的第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中的第一下部线和第二下部线，所述第一下部线和所述第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与所述第一方向正交的第二方向间隔开；以及沿着所述第二方向在所述第一下部线与所述第二下部线之间的第一气隙和第二气隙，其中所述第一气隙沿着所述第二方向与所述第一下部线间隔开第一距离，所述第二气隙沿着所述第二方向与所述第二下部线间隔开第二距离。
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