[发明专利]超结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件，超结器件单元包括：沟槽栅，形成于N型柱顶部；在沟槽栅两侧形成有沟道区；源区形成于沟道区表面，漏区形成于超结结构的底部；在沟道区底部的沟槽栅的两侧侧面形成有N型掺杂的电流发散区，器件正向导通时，沟道的电流通过积累层和电流发散区一起分布到沟槽栅底部的N型柱中，通过电流发散区降低积累层附近的电流集中，从而降低导通电阻。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。

主权项

一种超结器件，其特征在于：超结结构由多个N型柱和P型柱交替排列组成，一个所述N型柱和相邻的一个所述P型柱组成一个超结单元；在电荷流动区中一个所述超结单元中形成有一个超结器件单元，所述超结器件单元包括：沟槽栅，包括形成于所述N型柱顶部的栅极沟槽、形成于所述栅极沟槽底部表面和侧面的栅介质层以及填充于所述栅极沟槽中的多晶硅栅；在所述沟槽栅两侧形成有由P阱组成的沟道区，所述沟道区还延伸到所述P型柱的顶部；由N+区组成的源区形成于所述沟道区表面，由N+区组成的漏区形成于所述超结结构的底部；所述源区的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极，所述多晶硅栅的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的栅极；在所述沟道区底部的所述沟槽栅的两侧侧面形成有电流发散区，所述电流发散区为N型掺杂且掺杂浓度大于所述N型柱的掺杂浓度；在超结器件正向导通时，被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述沟道区的表面形成沟道，所述沟道区底部的被所述多晶硅栅侧面覆盖的区域表面形成积累层，所述沟道的电流通过所述积累层和所述电流发散区一起分布到所述沟槽栅底部的所述N型柱中，通过所述电流发散区降低所述积累层附近的电流集中，从而降低导通电阻。