[发明专利]半导体存储装置及存储器系统有效

专利信息
申请号: 201710144254.4 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN107767914B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 金野隼人;原田佳和;柳平康辅;中井润;上絋恵;宇都宫裕子 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/10;G11C16/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种能够使动作高速化的半导体存储装置及存储器系统。实施方式的半导体存储装置包含:第1及第2存储器单元;第1及第2字线,分别连接在第1及第2存储器单元;以及控制电路,分别响应第1及第2指令集而执行读取动作。控制电路能够执行使用互不相同的第1至第3电压分别读取数据的第1序列及使用基于第1序列的结果的电压读取数据的第2序列。在基于第1指令集的第1存储器单元的读取动作中,连续地执行第1及第2序列。在接下来的基于第2指令集的第2存储器单元的读取动作中,执行基于第1存储器单元的读取动作中的第1序列的结果的第2序列。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 存储器 系统
【主权项】:
一种半导体存储装置,其特征在于具备:多个第1及第2存储器单元;第1字线,连接在所述多个第1存储器单元;第2字线,连接在所述多个第2存储器单元;以及控制电路,分别响应从外部接收到的第1及第2指令集而执行读取动作;且所述控制电路能够在读取动作时执行第1及第2读取序列,在所述第1读取序列中使用互不相同的第1至第3电压分别读取数据,在所述第2读取序列中使用基于所述第1读取序列的结果的电压读取数据,在基于所述第1指令集的所述多个第1存储器单元的读取动作中,连续地执行所述第1及第2读取序列,在继所述多个第1存储器单元的读取动作后的基于所述第2指令集的所述多个第2存储器单元的读取动作中,使用基于所述多个第1存储器单元的读取动作中的所述第1读取序列的结果的电压来执行所述第2读取序列。
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