[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710130724.1 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573868B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在所述第一功函数层上形成牺牲层后，氧化所述第一功函数层，在所述第一功函数层与所述牺牲层之间形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成金属栅极，所述金属栅极与所述扩散阻挡层和第一功函数层用于构成栅极结构。一方面本发明方案中所形成的扩散阻挡层有效的避免了金属栅极中的杂质离子扩散到第一功函数层中，从而提高了第一功函数层的性能；另一方面，在形成牺牲层之后再氧化所述第一功函数层形成扩散阻挡层，所述牺牲层可以有效控制氧化所述第一功函数层时通入反应物的流量，从而有效可以控制所形成的扩散阻挡层的厚度，进而改善了半导体结构的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成N型晶体管的第一区域；在所述第一区域的基底上形成第一功函数层，所述第一功函数层的材料是N型功函数材料；在所述第一功函数层上形成牺牲层；氧化所述第一功函数层，在所述第一功函数层与所述牺牲层之间形成扩散阻挡层；去除所述牺牲层；在所述扩散阻挡层上形成第一金属栅极，所述第一金属栅极与所述扩散阻挡层和第一功函数层用于构成所述N型晶体管的栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
