[发明专利]半导体封装及其制造方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体封装的方法。首先，提供一衬底；接着于衬底上形成一第一钝化层；再形成多个沟槽，延伸进入衬底；然后于沟槽中形成金属介层结构；随后于第一钝化层上形成一重分布层结构；于重分布层结构上形成一第二钝化层；之后，于第二钝化层中形成开孔，显露出凸块接垫；接着于凸块接垫上形成第一金属柱；然后于金属柱上安置半导体芯片；再形成一模塑料，覆盖半导体芯片；之后移除衬底，从而显露出第一钝化层及各金属介层结构的突出部分(第二金属柱)；最后，分别于各第二金属柱上直接形成C4凸块。

主权项

1.一种用于制造半导体装置封装的方法，所述方法包含：提供一衬底，所述衬底包含相对的一第一表面及一第二表面；形成延伸进入所述衬底的所述第一表面的金属通孔结构，其包含：于所述衬底的所述第一表面上形成一第一钝化层；形成贯通所述第一钝化层并部分地延伸进入所述衬底的多个沟槽；以及于所述多个沟槽中填入一导电材料；于所述衬底上形成一重分布层(RDL)结构以电连接所述金属通孔结构；于所述重分布层结构上形成第一金属柱；执行一芯片贴合工艺，以于所述第一金属柱上安置半导体芯片；去除所述衬底，显露出所述金属通孔结构超出所述第一钝化层的突出部分，以形成第二金属柱，其包含：对所述衬底执行一衬底薄化工艺，以去除所述衬底的一部分；以及执行一湿式回蚀刻工艺，去除所述衬底的剩余部分，以显露出所述第一钝化层和各所述金属通孔结构的所述突出部分；以及于所述第二金属柱上形成连接件。