[发明专利]一种增强半导体工艺中补值精确性的方法在审
| 申请号： | 201710079124.7 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106783697A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王立斌;曹秀亮;康军;杜天伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种增强半导体工艺中补值精确性的方法，包括执行前道制程，并且获取前道制程的数据；从前道制程的数据中舍弃一个或者多个异常数据点；利用舍弃一个或者多个异常数据点之后的前道制程数据计算平均值；利用平均值作为后道制程补值的基础。将相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出预定倍数标准方差的数据点作为异常数据点；在第二步骤中从获取的前道制程的数据中直接去除相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出预定倍数标准方差的数据点。本发明提供了一种能够增强半导体工艺中补值精确性的方法，其采用异常量测数据过滤方法达到增强补值准确性的目的，从而提高工艺精准度，提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 半导体 工艺 中补值 精确性 方法 | ||
【主权项】：
一种增强半导体工艺中补值精确性的方法，其特征在于包括：第一步骤：执行前道制程，并且获取所述前道制程的数据；获取的所述前道制程的数据即前道量测数据；第二步骤：从所述前道制程的数据中舍弃一个或者多个异常数据点；第三步骤：利用舍弃一个或者多个异常数据点之后的前道制程数据计算平均值；第四步骤：利用所述平均值作为后道制程补值的基础。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
