[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器

摘要

本发明描述了用于非平面半导体器件架构的精密电阻器。在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。

主权项

一种器件，包括：第一鳍状物和第二鳍状物，其中所述第一鳍状物和所述第二鳍状物包括硅；所述第一鳍状物和所述第二鳍状物之间的隔离区；在所述隔离区之上但是不在所述第一鳍状物之上并且不在所述第二鳍状物之上的电阻器，其中所述电阻器是平面电阻器；耦合到所述电阻器的导电接触部；包括所述第一鳍状物的一部分的第一晶体管，其中所述第一晶体管包括在所述第一鳍状物之上的第一栅极电极，所述第一栅极电极包括第一材料和不同于所述第一材料的第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第一鳍状物之间，所述第二材料包括钨，所述第一材料或所述第二材料包括钛，所述第一晶体管包括所述第一栅极电极和所述第一鳍状物之间的氧化硅，并且所述第一晶体管包括所述氧化硅和所述第一栅极电极之间的氧化铪；以及包括所述第二鳍状物的一部分的第二晶体管，其中所述第二晶体管包括在所述第二鳍状物之上的第二栅极电极，所述第二栅极电极包括所述第一材料和所述第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第二鳍状物之间，所述第二晶体管包括所述第二栅极电极和所述第二鳍状物之间的氧化硅，并且所述第二晶体管包括所述氧化硅和所述第二栅极电极之间的氧化铪。