[发明专利]一种FS型IGBT器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种FS型IGBT器件的制造方法，包括以下步骤将硅片背面减薄；在硅片的背面注入N型杂质；在硅片的背面生长氧化层保护层；对硅片的正面进行常规步骤直至ILD淀积；在硅片的正面淀积SIN介质保护层；在硅片的正面涂覆光刻胶并将光刻胶烘干；去除硅片背面氧化层保护层；去除硅片正面的保护用光刻胶；在硅片的背面注入P型重掺杂集电区的离子；在硅片的背面淀积氧化层保护层；去除硅片正面的SIN保护层；对硅片的正面从淀积步骤开始继续进行常规的步骤；去除硅片背面的氧化层保护层；对硅片的背面进行常规的背金以及合金步骤。本发明可以对硅片背面的P型离子注入进行良好的激活，又不至于对正面结构引入其他影响进而导致电学参数的漂移。

主权项

一种FS型IGBT器件的制作方法，其特征在于该制作方法包括以下步骤：a、将硅片背面减薄；b、在硅片的背面注入N型杂质；c、在硅片的背面生长氧化层保护层；d、对硅片的正面进行常规工艺步骤直至ILD淀积步骤；e、在硅片的正面淀积SIN介质保护层；f、在硅片的正面涂覆保护用光刻胶并将光刻胶烘干；g、去除硅片背面所淀积的氧化层保护层；h、去除硅片正面所涂覆的保护用光刻胶；i、在硅片的背面注入P型重掺杂集电区的离子；j、在硅片的背面淀积氧化层保护层；k、去除硅片正面所淀积的SIN保护层；l、对硅片的正面从淀积步骤开始继续进行常规的孔光刻步骤、正面金属淀积步骤、合金步骤、钝化层的淀积步骤以及钝化层的光刻步骤；m、去除硅片背面所淀积的氧化层保护层；n、对硅片的背面进行常规的背金步骤以及合金步骤。