[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680089226.0 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110140204B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 白井开渡;武木田秀人;泉达雄;社本怜子;金村贵永;近藤重雄 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/27;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施方式，半导体装置包含堆叠体及柱状部。所述堆叠体包含：第1堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层；第2堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层，且相对于所述第1堆叠部在所述第1方向上隔开配置；及连结部，设置在所述第1堆叠部与所述第2堆叠部之间，且包含具有比所述绝缘体高的相对介电常数的高介电层。所述柱状部包含：第1部分，设置在所述第1堆叠部内，且沿所述堆叠体的第1方向延伸；第2部分，设置在所述第2堆叠部内，且沿所述第1方向延伸；及中间部，设置在所述连结部内，且连接到所述第1部分与所述第2部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备堆叠体及柱状部，所述堆叠体包含：第1堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层；第2堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层，且相对于所述第1堆叠部在所述第1方向上隔开配置；及连结部，设置在所述第1堆叠部与所述第2堆叠部之间，且包含具有比所述绝缘体高的相对介电常数的高介电层；所述柱状部包含：第1部分，设置在所述第1堆叠部内，且沿第1方向延伸；第2部分，设置在所述第2堆叠部内，且沿所述第1方向延伸；及中间部，设置在所述连结部内，且连接到所述第1部分与所述第2部分。
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