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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置-CN202010830533.8有效
发明人： 白井开渡;石原英惠 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种可靠性高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备半导体衬底、存储单元阵列、以及第1及第2配线。半导体衬底具备第1区域～第3区域及第4区域～第6区域。存储单元阵列具备：多个第1导电层，在第1区域至第3区域中在第2方向延伸且在第1方向积层；第1及第2半导体层，设置在第1及第3区域，在第1方向延伸，且与多个第1导电层对向；第1及第2接点，设置在第4及第6区域，在第1方向延伸；及第3半导体层，设置在第5区域，在第1方向延伸。第1配线在第1区域及第4区域中连接于第1半导体层及第2接点。第2配线在第3区域及第6区域中连接于第2半导体层及第3接点。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN202310134703.2在审
发明人： 白井开渡;武木田秀人;泉达雄;社本怜子;金村贵永;近藤重雄 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：根据实施方式，半导体装置包含堆叠体及柱状部。所述堆叠体包含：第1堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层；第2堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层，且相对于所述第1堆叠部在所述第1方向上隔开配置；及连结部，设置在所述第1堆叠部与所述第2堆叠部之间，且包含具有比所述绝缘体高的相对介电常数的高介电层。所述柱状部包含：第1部分，设置在所述第1堆叠部内，且沿所述堆叠体的第1方向延伸；第2部分，设置在所述第2堆叠部内，且沿所述第1方向延伸；及中间部，设置在所述连结部内，且连接到所述第1部分与所述第2部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202310143742.9在审
发明人： 白井开渡;武木田秀人;泉达雄;社本怜子;金村贵永;近藤重雄 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：根据实施方式，半导体装置包含堆叠体及柱状部。所述堆叠体包含：第1堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层；第2堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层，且相对于所述第1堆叠部在所述第1方向上隔开配置；及连结部，设置在所述第1堆叠部与所述第2堆叠部之间，且包含具有比所述绝缘体高的相对介电常数的高介电层。所述柱状部包含：第1部分，设置在所述第1堆叠部内，且沿所述堆叠体的第1方向延伸；第2部分，设置在所述第2堆叠部内，且沿所述第1方向延伸；及中间部，设置在所述连结部内，且连接到所述第1部分与所述第2部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201680089226.0有效
发明人： 白井开渡;武木田秀人;泉达雄;社本怜子;金村贵永;近藤重雄 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：根据实施方式，半导体装置包含堆叠体及柱状部。所述堆叠体包含：第1堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层；第2堆叠部，包含介隔绝缘体堆叠在第1方向的多个电极层，且相对于所述第1堆叠部在所述第1方向上隔开配置；及连结部，设置在所述第1堆叠部与所述第2堆叠部之间，且包含具有比所述绝缘体高的相对介电常数的高介电层。所述柱状部包含：第1部分，设置在所述第1堆叠部内，且沿所述堆叠体的第1方向延伸；第2部分，设置在所述第2堆叠部内，且沿所述第1方向延伸；及中间部，设置在所述连结部内，且连接到所述第1部分与所述第2部分。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202110094569.9在审
发明人： 白井开渡 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制成品率降低的半导体存储装置。一个实施方式的半导体存储装置，具备：层状的第一导电体，设置于基板的上方；多个第二导电体，配置于第一导电体的上方，在第一方向上相互分离地层叠；多个柱，在第一方向上延伸，穿过多个第二导电体，包括与第一导电体电连接的层状的半导体；以及第一金属插件，以包围第一导电体的外周的方式设置，将第一导电体与基板电连接。
半导体存储装置

[发明专利]半导体芯片-CN201910683381.0在审
发明人：市川真也;杉原隆司;白井开渡;小泊聡史 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：实施方式提供一种容易解析的半导体芯片。一实施方式的半导体芯片具备存储单元阵列及配线层。存储单元阵列具备在第1方向上排列的多个区块。配线层具备与一个或多个区块对应地设置且第1方向上的位置互不相同的多个第1图案区域。多个第1图案区域包含互不相同的图案。
半导体芯片

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