[发明专利]半导体装置

摘要

RESURF分离构造包围高电位侧电路区域的外周，将高电位侧电路区域与低电位侧电路区域分离。RESURF分离构造具有高耐压分离部、高耐压NchMOS以及高耐压PchMOS。高耐压分离部、高耐压NchMOS以及高耐压PchMOS具有多个场板(9、19a、19b、19c)。高耐压PchMOS的最靠低电位侧电路区域侧的场板(19c)的内端部与高耐压NchMOS的最靠低电位侧电路区域侧的场板(19b)的内端部相比位于低电位侧电路区域侧。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：高电位侧电路区域；低电位侧电路区域；以及RESURF分离构造，其包围所述高电位侧电路区域的外周，将所述高电位侧电路区域与所述低电位侧电路区域分离，所述RESURF分离构造具有高耐压分离部、高耐压NchMOS以及高耐压PchMOS，所述高耐压分离部、所述高耐压NchMOS以及所述高耐压PchMOS具有热氧化膜和多个场板，该多个场板形成在所述热氧化膜之上，所述高耐压PchMOS的最靠所述低电位侧电路区域侧的场板的内端部与所述高耐压NchMOS的最靠所述低电位侧电路区域侧的场板的内端部相比位于所述低电位侧电路区域侧。