[发明专利]提取和加速离子的空心阴极离子源及方法有效

申请号：	201680081988.6	申请日：	2016-11-08
公开（公告）号：	CN108699691B	公开（公告）日：	2021-09-03
发明（设计）人：	J·钱伯斯;P·马诗威茨	申请（专利权）人：	北美AGC平板玻璃公司;旭硝子株式会社;AGC玻璃欧洲公司
主分类号：	C23C16/513	分类号：	C23C16/513;C23C4/134;H01J37/063;H05H1/02;H05H1/24;H05H1/54
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	韩宏;夏青
地址：	美国乔***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	提供一种提取和加速离子的离子源和方法。离子源包括腔室。离子源进一步包括第一空心阴极，其具有第一空心阴极腔和第一等离子体出口孔；以及第二空心阴极，其具有第二空心阴极腔和第二等离子体出口孔。第一空心阴极和第二空心阴极邻近地设置在腔室中。离子源进一步包括第一离子加速器，其在第一等离子体出口孔与腔室之间并与第一等离子体出口孔和腔室连通。第一离子加速器形成第一离子加速腔。离子源进一步包括第二离子加速器，其在第二等离子体出口孔与腔室之间并与第二等离子体出口孔和腔室连通。第二离子加速器形成第二离子加速腔。第一空心阴极和第二空心阴极被配置为交替地充当电极和反电极以生成等离子体。
搜索关键词：	提取加速离子空心阴极离子源方法
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【主权项】：

1.一种离子源，包括：腔室；第一空心阴极，其具有第一空心阴极腔和第一等离子体出口孔；以及第二空心阴极，其具有第二空心阴极腔和第二等离子体出口孔，所述第一空心阴极和所述第二空心阴极邻近地设置在所述腔室中；第一离子加速器，其在所述第一等离子体出口孔与所述腔室之间并与所述第一等离子体出口孔和所述腔室连通，其中，所述第一离子加速器形成第一离子加速腔；以及第二离子加速器，其在所述第二等离子体孔与所述腔室之间并与所述第二等离子体孔和所述腔室连通，其中，所述第二离子加速器形成第二离子加速腔；其中，所述第一空心阴极和所述第二空心阴极被配置为交替地充当电极和反电极以生成等离子体，并且其中，所述第一离子加速腔和所述第二离子加速腔中的每个足以使得能够提取和加速离子。

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发明人：王佩剑 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C16/513
摘要：本实用新型提供了一种二维材料制备装置，属于二维材料制备的技术领域，包括处理室，所述处理室顶部和底部设有开口分别用于进气和出气；气流管路，所述气流管路贯通设置于所述处理室顶部开口处，所述气流管路上端与气体供给装置相连，气流管路的下端口正好位于所述基片台正中心上方使从气流管路的下端口流出的气态源在所述小片待制备二维材料表面均匀扩散；排气机构，所述排气机构设于所述处理室底部开口处，用于处理室内减压排气；控制机构对处理室内的反应环境进行控制。使用本实用新型提供的二维材料制备装置可以可控、可重复地生长大面积直至晶圆级的二维材料。

工作台及等离子体化学气相沉积设备-202023334486.2
发明人：李松举;孙贤文;付东 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C16/513
摘要：一种工作台，用于等离子体化学气相沉积。所述工作台包括：支撑柱；设置在所述支撑柱上的承载台；设置在所述承载台上的电磁铁以及静电吸附装置，所述电磁铁设置在所述承载台和所述静电吸附装置之间，且所述电磁铁与所述静电吸附装置之间相互绝缘，所述静电吸附装置的远离所述电磁铁的表面上设置有绝缘层。通过在工作台上设置电磁铁，在工作时，所述电磁铁先将待吸附的物体吸附至静电吸附装置上，然后所述静电吸附装置再通过静电吸附的方式将待吸附的物体固定。上述吸附方式可以增强吸附的稳定性，从而解决了掩膜板与工作台之间的间隙不稳定所导致的掩膜效果变差的问题。本实用新型还提供了一种等离子体化学气相沉积设备。

一种管式PECVD炉体支撑调节装置-202120083037.0
发明人：肖洁 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C23C16/513
摘要：本实用新型公开了一种管式PECVD炉体支撑调节装置，包括支撑架，支撑架上设有多层支撑座，支撑座上设有用于支撑炉体的第一支撑件和第二支撑件，支撑座于第一支撑件和第二支撑件之间设有用于避让炉体的第一避让槽。该管式PECVD炉体支撑调节装置，本实用新型以五层支撑座为例，炉体支撑在第一支撑件和第二支撑件上，炉体位于第一支撑件和第二支撑件的部分下沉到第一避让槽内，相对于炉体直接放置于支撑座上的情况，至少省去了支撑座的厚度，缩短了相邻炉体之间的间隙，降低了层高，进而使设备整体高度降低，降低了设备的运输成本，以及降低设备的安装空间需求。

一种基于磁约束等离子体超双疏膜层的制备装置及方法-202111045059.9
发明人：梁宸 -专利权人：佛山市思博睿科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23C16/513
摘要：本发明涉及一种基于磁约束等离子体超双疏膜层的制备装置及方法，具备：内部形成为供反应的腔室的反应单元；以与反应单元的腔室连通的形式连接的微波发生源；以与反应单元的腔室连通的形式连接从而抽取反应单元内的气体的抽气单元；通过供给管路与反应单元的腔室连通从而加入活化气体的第一配气单元；通过供给管路与反应单元的腔室连通从而加入作为接枝共聚膜层气源的汽化或者气态的镀膜材料的第二配气单元；及环绕地安装于反应单元外部用以产生磁场约束的永磁组单元。由此，能够低成本、规模化、一次性完成超双疏界面。

真空镀膜用电极板以及包括该电极板的镀膜装置-202120483977.9
发明人：吴兴华;王凯 -专利权人：立讯电子科技（昆山）有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C16/513
摘要：本实用新型公开一种真空镀膜用电极板以及包括该电极板的镀膜装置，镀膜装置包括舱室、工件架和多个电极板，多个电极板包括射频电极板和接地电极板，工件架上间隔设置多个待镀膜产品，相邻的射频电极板和接地电极板之间容置一个待镀膜产品。真空镀膜用电极板包括电极板本体、导电连接杆、第一防护件和第二防护件，导电连接杆由电极板本体的一侧边延伸而出，第一防护件和第二防护件分别贴附于电极板本体的相对的两个板面而遮蔽电极板本体，真空镀膜用电极板通过导电连接杆连接在舱室内的顶部。本实用新型通过设置第一防护件和第二防护件对电极板本体进行防护，减少了对多次镀膜后的电极板进行清洗的清洁时间，提高了制程稳定性和生产效率。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]提取和加速离子的空心阴极离子源及方法有效

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