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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]钝化接触太阳能电池及其背面钝化结构的制作方法-CN202111326290.5在审
发明人：田伟辰;吴以德;叶昌鑫;洪政源;黄俊凯 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明是一种钝化接触太阳能电池及其背面钝化结构的制作方法。该钝化接触太阳能电池包含硅基板及的背面钝化结构，该背面钝化结构包含穿隧氧化层、N型掺杂多晶硅薄膜及覆盖层，该穿隧氧化层形成于该硅基板上，该N型掺杂多晶硅薄膜通过等离子体增强化学气相沉积制程形成于该穿隧氧化层上，且该N型掺杂多晶硅薄膜的厚度介于30‑100nm之间，该覆盖层形成于该N型掺杂多晶硅薄膜上，以等离子体增强化学气相沉积制成的该N型掺杂多晶硅薄膜能让穿隧氧化层保有良好的钝化能力，而提高该钝化接触太阳能电池的转换效率。
钝化接触太阳能电池及其背面结构制作方法

[发明专利]化学气相沉积设备及用于该设备的方法和功率补偿模块-CN201811474748.X有效
发明人：洪政源;田伟辰;黄俊凯;叶昌鑫;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积设备及用于该设备的方法和功率补偿模块。化学气相沉积设备是利用等离子体技术进行沉积工艺，且其包含反应室腔体、射频信号源和功率补偿模块。射频信号源用以在沉积工艺开始时产生且输出射频信号至反应室腔体的电极。功率补偿模块电性连接射频信号源，其用以对射频信号源输出的射频信号进行时间性功率补偿。本发明可使在化学气相沉积设备的反应式腔体内产生的等离子体具有较短的暂态时间，且具有较稳定的暂态行为，进而提升沉积物的品质。
化学沉积设备用于方法功率补偿模块

[发明专利]具有钝化层的太阳能电池-CN202011203247.5在审
发明人：田伟辰;洪政源;黄俊凯;叶昌鑫;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有钝化层的太阳能电池包含掺杂结晶硅基板、上钝化层及下钝化层，该掺杂结晶硅基板具有上表面及下表面，该上钝化层设置于该上表面，该下钝化层设置于该下表面，该下钝化层具有穿隧氧化硅薄膜及掺杂多晶硅薄膜，该穿隧氧化硅薄膜位于该掺杂结晶硅基板及该掺杂多晶硅薄膜之间，其中，该穿隧氧化硅薄膜是以氢氧等离子体对该掺杂结晶硅基板进行处理而形成。
具有钝化太阳能电池

[发明专利]形成半导体结构的方法及半导体结构-CN201911212616.4在审
发明人：叶昌鑫;黄俊凯;洪政源;田伟辰;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成半导体结构的方法及半导体结构，此方法包含提供半导体基板，以及使用原子层气相沉积设备，在半导体基板上形成钝化层，且此半导体结构包含半导体基板、钝化层、背电场层以及电极层。背电场层设置于钝化层上。背电场层与半导体基板分别位于钝化层的相对两侧。电极层设置于背电场层上。电极层与该钝化层分别位于该背电场层的相对两侧。本发明可在低温的环境下形成薄厚度、高均匀度及低介面缺陷密度的钝化层，故可降低热预算，以避免可能对半导体基板的伤害，且可提升钝化层的形成品质，例如提升钝化层的披覆效果。
形成半导体结构方法

[发明专利]微波染色设备-CN201710750984.9有效
发明人：洪政源;田伟辰;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： D06B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波染色设备，其包含腔体、微波信号源以及微波遮罩。腔体用以盛装染液并使纺织物浸置于染液中。微波信号源用以在腔体的内部发射微波信号，以对纺织物进行染色处理。微波遮罩设置于腔体中，其与染液的液面之间具有一定距离，且其选择性地对微波信号进行滤波处理。本发明的微波染色设备可减少染色加工时间及成本，并可控制纺织物的着色度，且可减少废水的产生，避免严重污染和破坏环境。
微波染色设备

[发明专利]形成半导体结构的方法及半导体结构-CN201910922135.6在审
发明人：洪政源;田伟辰;黄俊凯;叶昌鑫;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成半导体结构的方法及半导体结构，此方法包含提供半导体基板以及使用射频等离子体设备对半导体基板进行表面处理，以在半导体基板的一侧形成钝化层。射频等离子体设备对半导体基板进行表面处理时使用的等离子体源包含氧元素气体，且在射频等离子体设备所形成的等离子体中，对应777纳米的光谱强度约为对应844纳米的光谱强度的0.5倍至2倍。本发明可使得形成的钝化层至少具有低厚度和高均匀度等特性，进而提升半导体结构的产品合格率。
形成半导体结构方法

[发明专利]太阳能电池结构及其制作方法-CN201910821903.9在审
发明人：田伟辰;洪政源;叶昌鑫;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池结构及其制作方法，太阳能电池结构包含半导体基板、钝化层、穿隧层和掺杂结晶硅层。半导体基板具有相对的第一侧和第二侧。钝化层位于半导体基板的第一侧。穿隧层位于半导体基板的第二侧。掺杂结晶硅层位于穿隧层的远离该半导体基板的侧边，其包含多晶硅晶体，且其结晶度约为50％～90％。本发明的太阳能电池结构具有较高的暗喻开路电压和载子生命周期，使得整体效能因而提升。
太阳能电池结构及其制作方法

[发明专利]硅基叠层的形成方法及硅基太阳能电池的制造方法-CN201811442208.3在审
发明人：田伟辰;洪政源;叶昌鑫;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基叠层的形成方法，其包括提供硅基板，其中硅基板具有相对的第一表面与第二表面。于第一表面上形成第一薄膜层。于第二表面上形成第二薄膜层。对硅基板、第一薄膜层及第二薄膜层进行微波制程，以钝化第一薄膜层及第二薄膜层。一种硅基太阳能电池的制造方法也被提出。
硅基叠层形成方法太阳能电池制造

[发明专利]微波助剂与隔热涂膜的制造方法-CN201711260551.1在审
发明人：黄玉君;曾坤三;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C09D7/65 文献下载
摘要：一种微波助剂与隔热涂膜的制造方法，所述微波助剂包括极性材料、分散剂与溶剂。以微波助剂的总重量计，极性材料的含量为28重量％至33重量％，分散剂的含量为0.5重量％至1.5重量％，且溶剂的含量为65.5重量％至71.5重量％。所述微波助剂可协助涂料进行微波固化处理。
微波极性材料分散剂隔热溶剂涂膜微波固化重量计制造涂料

[发明专利]等离子体系统的回馈控制方法及其系统-CN201210585488.X有效
发明人：洪政源;陈威宇;吴奕达;杨思华;孙嘉鸿;翁敏航;吴以德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体系统的回馈控制方法及其系统，该等离子体系统包含一个等离子体产生腔室、一个光传感器、一个操作模块，及一个控制模块，且该控制模块具有一个包括有多种对应不同等离子体制程条件的等离子体标准光谱的标准光谱数据库。借由该光传感器对该等离子体产生腔室中气体电离产生等离子体时所发出的光进行检测，并将其转换得到一个放光光谱，再将该放光光谱与该标准光谱数据库中相对应等离子体制程条件的等离子体标准光谱进行比对，经由比对的结果以实时调整与控制该等离子体系统的制程条件与参数。
等离子体系统回馈控制方法及其

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